對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好?;衔锏臒岱€(wěn)定性主要與化學(xué)鍵的鍵能及鍵長有關(guān)。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造,以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。四氯1化碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。
四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。
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